24小時(shí)全國(guó)服務(wù)熱線(xiàn)：18902855590
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隨著科技的進(jìn)步，5 W市場(chǎng)看似“過(guò)氣”，但I(xiàn)oT、小家電、藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)、智能門(mén)鎖卻提出“三低”剛需：
成本低——BOM<1.2元；
高度低——塞進(jìn)門(mén)鎖殼≤18 mm；
待機(jī)低——零負(fù)載<75 mW，歐盟CoC Tier2隨手過(guò)。
深圳三佛科技供應(yīng)的LP3667BH（內(nèi)置730 V MOS，自供電，SOP-7）+ 二次側(cè)3P45（45 V/3 A肖特基）給出“教科書(shū)”級(jí)回答：官方Demo 26.4 mm×35.4 mm×16 mm，自然冷卻，90-264 VAC全電壓，5 V/1 A，平均效率>75 %，CISPR22/EN55022 Class B余量>8 dB，全部公開(kāi)，今天一文打盡。
全集成：MOS+啟動(dòng)+采樣+OTP，僅需14顆貼片料；
自供電：取消輔助繞組，變壓器腳位直接省2 Pin；
谷底導(dǎo)通+頻率折返，230 VAC空載75 mW，10 %負(fù)載效率仍>63 %；
內(nèi)置斜率補(bǔ)償，CC模式1.25 A，線(xiàn)補(bǔ)0 mV/mA，手機(jī)充電不彈窗；
OCP、OLP、OTP、OVP四重保護(hù)，短路打嗝自恢復(fù)，UL1950 Class II過(guò)認(rèn)證；
EF12L磁芯，高度11 mm，比EE10還矮，卻做到5 W；
官方承諾：±5 % Vout，-40 ℃~85 ℃工業(yè)級(jí)，批量ppm<300。
輸入彈片→DB1→EC1/2一字排開(kāi)，高壓環(huán)路面積<0.8 cm2；
芯片居中，Drain銅皮>150 mm2，反面過(guò)孔陣列散熱；
USB口下沉0.5 mm，做18 mm超薄殼剛好平齊。
次級(jí)地銅皮“回”字形包圍USB，降低共模；
FB走線(xiàn)遠(yuǎn)離Drain，0.3 mm寬，4 mil間距，誤差<±1 %；
高壓與次級(jí)開(kāi)槽0.4 mm，滿(mǎn)足2 kV爬電。
快速檢測(cè)
漏感：短接N3，6-7腳讀<70 μH；
層間：3750 V/3 s，<1 mA；
外觀：套管全覆蓋，無(wú)銅線(xiàn)裸露。
| Vin | Io | Vout | Pin | η | Vripple | OCP |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 90 V | 1 A | 5.32 V | 7.13 W | 74.6 % | 62 mV | 1.2 A |
| 115 V | 1 A | 5.34 V | 6.99 W | 76.3 % | 58 mV | 1.1 A |
| 230 V | 1 A | 5.36 V | 6.95 W | 77.1 % | 53 mV | 1.2 A |
| 264 V | 1 A | 5.35 V | 6.98 W | 76.6 % | 53 mV | 1.2 A |
| 230 V | 0 A | 5.00 V | 0.075 W | — | 40 mV | — |
動(dòng)態(tài)：10 %-90 %階躍，ΔV=±0.3 V，恢復(fù)<200 μs；
啟動(dòng)：90 VAC滿(mǎn)載，延遲0.96 s，無(wú)過(guò)沖<3 %；
輻射：30-1000 MHz QP余量>12 dB，無(wú)需共模電感；
熱成像：40 ℃環(huán)溫，U1表面100.6 ℃，D2 101 ℃，EF12L磁芯90 ℃，全部<110 ℃。
反射采樣天然降低共模：無(wú)光耦，次級(jí)無(wú)高阻回路；
磁芯5腳接次級(jí)地，形成“法拉第屏蔽”，共模電流下降40 %；
CY1 100 pF+珠4.7 μH，在30 MHz形成>20 dB衰減；
PCB高壓環(huán)路面積<0.8 cm2，差模尖峰<-10 dB。
LP3667BH把“730 V MOS+自供電+反射采樣”三件套塞進(jìn)SOP-7，再用EF12L矮磁芯把5 W功率密度推到15 W/in3，高度16 mm，Class B一次過(guò)，堪稱(chēng)5 V/1A賽道里的“隱形冠軍”。深圳三佛科技提供樣品，技術(shù)支持~